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32層三維NAND快閃記憶體晶片將於年內量産

2018年04月23日 07:09   來源:中國經濟網—《經濟日報》   

  晶片被譽為高端製造業的“皇冠明珠”,是一個國家製造業和科技實力的象徵。然而,多年來受制于技術、投入以及相關體制機制等因素,我國晶片産業發展速度較慢,主要産品依賴進口。

  如今,這一尷尬局面有望被徹底打破。4月11日,國家記憶體基地項目首套晶片生産機臺進場安裝,標誌著國家記憶體基地從廠房建設階段進入生産準備階段。同時,我國首批擁有完全自主智慧財産權的32層三維NAND快閃記憶體晶片將於年內量産,將填補我國主流記憶體領域空白。

  作為“工業的糧食”,晶片是小到手機、電腦,大到人工智慧、大數據、網路安全等産業的核心基礎。目前,中國已經成為世界上最大的晶片消費國,但其中90%的産品均來自國外廠商。

  針對這一問題,2016年3月份,紫光集團聯合國家積體電路産業投資基金、湖北積體電路産業投資基金、湖北科投在武漢東湖高新區共同投資建設國家記憶體基地項目。4個月後,長江存儲科技公司成立,並成為該項目的實施主體。根據計劃,該項目總投資額為240億美元,佔地面積1968畝,將建設3座全球單座潔凈面積最大的三維NAND Flash生産廠房。項目核心生産廠房和設備每平方米的投資強度超過3萬美元,項目一期總産能將達到30萬片/月,年産值將超過100億美元。

  “國家記憶體基地項目堪稱中國積體電路快閃記憶體晶片産業規模化發展零的突破,也是打破西方國家壟斷的重要抓手。在未來10年左右的時間裏,紫光集團將至少投資1000億美元推進相關産業發展。”紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國在接受經濟日報記者採訪時表示。

  “一方面,我國在核心技術和産品結構上仍然與世界一流水準存在差距,實現追趕超越的目標絕非一朝一夕,需要堅定的戰略定力以及長期保持高投入的耐力與底氣;另一方面,未來5年至10年是中國積體電路産業發展的最佳窗口期,既然選擇了存儲晶片作為切入點和突破口,紫光集團和長江存儲就一定要抓住機遇,直面挑戰,知難而上,通過超常規的投入縮短髮展週期,迅速登上全球存儲行業的競爭舞臺。”趙偉國説。

  專家告訴記者,長江存儲的起點“不僅不低,而且很高”,一個典型的佐證就是,項目一投産就將生産3D NAND快閃記憶體。這種快閃記憶體一改過去平面快閃記憶體的架構,實現了三維立體堆疊,“其中的區別就相當於從平房到樓房的跨越”。

  “業界普遍認為,3D NAND快閃記憶體是中國存儲晶片製造業‘彎道超車’的最佳機會。”趙偉國告訴記者,去年國家記憶體基地成功研發中國首顆32層三維NAND快閃記憶體晶片,這是我國在製造工藝上最接近國際高端水準的主流晶片,在填補中國企業晶片領域空白上邁出了重要一步。4月9日,該晶片獲得中國電子資訊博覽會金獎。

  長江存儲執行董事長高啟全透露,未來幾個月內,近3000套生産機臺將陸續進場安裝調試,預計7月底或8月初具備試生産條件,年內將可産出5000片32層三維NAND快閃記憶體晶片;2019年,32層三維NAND快閃記憶體晶片産量將提升至每年10萬片,當年年底試産64層三維NAND快閃記憶體晶片;2020年,64層三維NAND快閃記憶體晶片産能將提升至每年10萬片,並研發具有全球先進水準的128層三維NAND快閃記憶體晶片。

  國務院公佈的《促進中部地區崛起“十三五”規劃》明確提出,“支援武漢、合肥建設記憶體産業基地”。目前,湖北省和武漢市正在舉全省、全市之力,將這一項目打造成轉型跨越發展的千億元高科技産業項目。武漢市有關負責人告訴記者,在加快實現記憶體晶片量産的同時,武漢東湖高新區將加大設計、設備、材料、封測、存儲控制等企業招商引資力度,打造“晶片—顯示—終端”全産業鏈,儘快形成萬億級産業集群。(經濟日報記者 鄭明橋 通訊員 吳 非)

(責任編輯:劉朋)

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